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晶体管
BSC0901NSATMA1参考图片

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BSC0901NSATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
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库存：13,918(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.1473
8.1473
10
¥6.9947
69.947
100
¥5.3675
536.75
500
¥4.746
2373
1,000
¥3.7516
3751.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
1.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
44 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
70 S
下降时间
4.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.8 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28 ns
典型接通延迟时间
5.4 ns
零件号别名
BSC0901NS BSC91NSXT SP000800248
商品其它信息
优势价格，BSC0901NSATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N5415S
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥281.3926
5:¥268.714
10:¥260.3294
25:¥239.1984
参考库存:3653
PSMN027-100BS,118
Nexperia
晶体管
MOSFET N-CH 100V 26.8 MOHM MOSFET
1:¥8.3733
10:¥7.119
100:¥5.4692
500:¥4.8364
800:¥3.8194
参考库存:3575
SI2333DDS-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -12V Vds 8V Vgs SOT-23
1:¥3.2996
10:¥2.5086
100:¥1.8645
500:¥1.5368
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.1865
参考库存:40880
JAN2N2222AUB
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥125.5543
10:¥114.1074
25:¥105.5759
50:¥99.892
参考库存:3879
2N2222AUB
Optek / TT Electronics
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN G.P. TRANSISTOR
1:¥228.373
10:¥223.8304
100:¥219.2991
250:¥210.8467
参考库存:3640
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