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晶体管
IPB22N03S4L-15参考图片

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IPB22N03S4L-15

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 22A D2PAK-2 OptiMOS-T2
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数量单价合计
1
¥13.447
13.447
10
¥11.4469
114.469
100
¥9.1417
914.17
500
¥7.9891
3994.55
1,000
¥6.6557
6655.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
22 A
Rds On-漏源导通电阻
14.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
31 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-T2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
3 ns
零件号别名
IPB22N03S4L15ATMA1 IPB22N3S4L15XT SP000275308
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPB22N03S4L-15的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
QPD1823
Qorvo
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1.8-2.4GHz GaN 220W 48V
250:¥623.3306
参考库存:27724
FCP20N60
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 600V N-Channel SuperFET
1,000:¥15.2889
参考库存:27727
TSM60NB190CI C0G
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 600V, 18A, Single N- N-Chan Power MOSFET
4,000:¥10.5316
5,000:¥10.1474
参考库存:27730
RSD050N06TL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 755-RD3L050SNTL1
2,500:¥1.7741
10,000:¥1.7176
25,000:¥1.6498
50,000:¥1.6159
参考库存:27733
PTRA094252FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
50:¥878.2021
参考库存:27736
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