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产品分类

晶体管
IPB22N03S4L-15参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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IPB22N03S4L-15

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 22A D2PAK-2 OptiMOS-T2
  • 数据手册下载
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库存:5,966(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.447
13.447
10
¥11.4469
114.469
100
¥9.1417
914.17
500
¥7.9891
3994.55
1,000
¥6.6557
6655.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
22 A
Rds On-漏源导通电阻
14.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
31 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-T2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
3 ns
零件号别名
IPB22N03S4L15ATMA1 IPB22N3S4L15XT SP000275308
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB22N03S4L-15的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥3.4578
10:¥2.2713
100:¥0.97632
1,000:¥0.7458
参考库存:14416
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
2,500:¥1.11418
10,000:¥1.11418
参考库存:14418
晶体管
MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
1:¥24.1255
10:¥20.5208
100:¥17.7523
250:¥16.9048
2,000:¥12.1362
4,000:查看
参考库存:18620
晶体管
JFET JFET P-Channel
107:¥61.3929
500:¥55.935
1,000:¥48.7143
参考库存:18623
晶体管
MOSFET LV POWER MOS
1:¥8.2264
10:¥7.0512
100:¥5.4127
500:¥4.7912
5,000:¥3.3448
10,000:查看
参考库存:9426
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