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晶体管
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FDMC2523P

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库存:15,929(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.8422
7.8422
10
¥6.6896
66.896
100
¥5.1415
514.15
500
¥4.5426
2271.3
3,000
¥3.1866
9559.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Power-33-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
1.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
42 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.8 mm
长度
3.3 mm
系列
FDMC2523P
晶体管类型
1 P-Channel
类型
QFET
宽度
3.3 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
1.4 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
210 mg
商品其它信息
优势价格,FDMC2523P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
20,000:¥0.36838
参考库存:29942
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1:¥7.2207
10:¥5.9212
100:¥4.5426
500:¥3.8985
5,000:¥2.7346
10,000:查看
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4,000:¥5.0624
6,000:¥4.8138
10,000:¥4.7008
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暂无价格
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥124.4017
10:¥114.4125
25:¥109.6552
100:¥96.5924
250:¥91.8238
参考库存:29954
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