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晶体管
IRFR3910TRPBF参考图片

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IRFR3910TRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 115mOhms 29.3nC
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库存:33,597(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.6105
6.6105
10
¥5.65
56.5
100
¥4.3392
433.92
500
¥3.8307
1915.35
1,000
¥3.0284
3028.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
115 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
29.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
52 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
37 ns
典型接通延迟时间
6.4 ns
零件号别名
SP001560674
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IRFR3910TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R 10K
1:¥2.9154
10:¥2.0566
100:¥0.94468
1,000:¥0.72998
10,000:¥0.56839
20,000:查看
参考库存:16944
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP GENERAL PURPOSE
1:¥2.8476
10:¥2.1357
100:¥1.1639
1,000:¥0.86784
3,000:¥0.75258
参考库存:8742
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 1.15MO
1:¥9.2999
10:¥7.91
100:¥6.0907
500:¥5.3901
1,500:¥3.7629
9,000:查看
参考库存:16949
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Pre-biased Small Signal Transistor
1:¥2.0792
10:¥1.4577
100:¥0.60681
1,000:¥0.41471
3,000:¥0.32318
参考库存:16952
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 14.5mOhms
1:¥12.2944
10:¥10.4525
100:¥8.3733
500:¥7.2998
3,000:¥5.6274
6,000:查看
参考库存:5755
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