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晶体管
DMN2016LFG-7参考图片

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DMN2016LFG-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET N-CHANNEL DFN DFN3030-8 GREEN 3K
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数量单价合计
1
¥4.6895
4.6895
10
¥3.9324
39.324
100
¥2.3956
239.56
1,000
¥1.8532
1853.2
3,000
¥1.582
4746
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
U-DFN3030-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
5.2 A
Rds On-漏源导通电阻
30 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
16 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
770 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN2016
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格,DMN2016LFG-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC
暂无价格
参考库存:27890
晶体管
MOSFET TRANS MOSFET NCH 500V 13A 3PIN
1,000:¥13.9894
2,000:¥13.2888
5,000:¥12.8368
参考库存:27893
晶体管
MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
5,000:¥4.0906
10,000:查看
参考库存:27896
晶体管
MOSFET 24V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 2.4 x 1.6
1:¥6.5314
10:¥5.198
100:¥3.955
500:¥3.2544
1,000:¥2.6103
3,000:¥2.3617
参考库存:7572
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥548.8636
参考库存:27901
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