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晶体管
BSZ520N15NS3GATMA1参考图片

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BSZ520N15NS3GATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3
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库存:10,991(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.0683
10.0683
10
¥8.6106
86.106
100
¥6.6218
662.18
500
¥5.8534
2926.7
5,000
¥4.0906
20453
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
52 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
8.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
57 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
11 S
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
7 ns
零件号别名
BSZ520N15NS3 BSZ52N15NS3GXT G SP000607022
单位重量
200 mg
商品其它信息
优势价格,BSZ520N15NS3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Digital Transistor PNP 50V 100mA 3-Pin
1:¥1.2317
10:¥1.09158
100:¥0.3842
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:6417
晶体管
MOSFET N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET
1:¥84.75
10:¥77.9135
25:¥74.693
100:¥65.7773
参考库存:5807
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor NPN 100mA 50V 47kohm
1:¥1.7628
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.24634
参考库存:16395
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS7
1:¥315.9706
5:¥305.3599
10:¥295.4498
25:¥273.2453
参考库存:3448
晶体管
IGBT 晶体管 600 Volt 250 Amp
1:¥624.099
5:¥611.7255
10:¥586.131
25:¥567.2374
参考库存:3435
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