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晶体管
BSC057N03LSGATMA1参考图片

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BSC057N03LSGATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 71A TDSON-8 OptiMOS 3
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库存:9,612(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.4523
6.4523
10
¥5.3675
53.675
100
¥3.4578
345.78
1,000
¥2.7685
2768.5
5,000
¥2.7685
13842.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
71 A
Rds On-漏源导通电阻
4.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
36 S
下降时间
3.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.6 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
4.7 ns
零件号别名
BSC057N03LS BSC57N3LSGXT G SP000275113
商品其它信息
优势价格,BSC057N03LSGATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp
1:¥31.9677
10:¥27.1991
100:¥23.5944
250:¥22.3627
500:¥20.0575
参考库存:2819
晶体管
MOSFET 60V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥13.8312
10:¥11.4469
100:¥8.9157
500:¥7.7631
3,000:¥6.0229
6,000:查看
参考库存:7939
晶体管
IGBT 模块 IGBT MODULE HALF BRG 50A 1700V
1:¥883.2758
5:¥865.9077
10:¥825.4876
25:¥808.1986
参考库存:1950
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
1:¥155.6801
10:¥141.5438
25:¥130.9331
50:¥123.7915
参考库存:34116
晶体管
MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
1:¥31.8886
10:¥27.0522
100:¥23.4362
250:¥22.2836
参考库存:2446
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