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晶体管
IPD100N04S4-02参考图片

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IPD100N04S4-02

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2
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库存:7,627(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.9103
13.9103
10
¥11.8311
118.311
100
¥9.4468
944.68
500
¥8.2942
4147.1
2,500
¥6.3958
15989.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
1.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
91 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS-T2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
24 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
23 ns
零件号别名
IPD100N04S402ATMA1 IPD1N4S42XT SP000646184
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD100N04S4-02的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Channel 80V PowerPAK SO-8L
1:¥10.4525
10:¥8.6106
100:¥6.5653
500:¥5.65
1,000:¥4.4635
3,000:¥4.4635
参考库存:5901
晶体管
MOSFET 80V Vds 46A Id AEC-Q101 Qualified
1:¥8.6106
10:¥7.0851
100:¥5.4353
500:¥4.6782
1,000:¥3.6838
3,000:¥3.6838
参考库存:8390
晶体管
MOSFET N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
1:¥22.2045
10:¥18.9049
100:¥15.142
500:¥13.221
参考库存:2968
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PBSS5260PAPS/HUSON6/REEL 7" Q1
1:¥4.068
10:¥3.3561
100:¥2.0453
1,000:¥1.582
3,000:¥1.356
参考库存:7896
晶体管
MOSFET TRENCH_MOSFETS
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
参考库存:5812
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