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FP50R12KE3

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数量单价合计
1
¥893.265
893.265
5
¥875.75
4378.75
10
¥834.8666
8348.666
25
¥817.3516
20433.79
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
270 W
封装 / 箱体
EconoPIM3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FP50R12KE3BOSA1 SP000101740
单位重量
300 g
商品其它信息
优势价格，FP50R12KE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ALD910020SAL
Advanced Linear Devices
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暂无价格
参考库存:37263
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