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晶体管
IPD50N03S2-07参考图片

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IPD50N03S2-07

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库存:6,910(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.6784
8.6784
10
¥7.4467
74.467
100
¥5.7178
571.78
500
¥5.0511
2525.55
2,500
¥3.5369
8842.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
7.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
IPD50N03S207ATMA1 IPD5N3S27XT SP000254462
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD50N03S2-07的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SOP-8 MOSFET
2,500:¥3.7855
5,000:¥3.4465
10,000:¥3.1527
25,000:¥3.0962
参考库存:40722
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥336.5592
参考库存:40725
晶体管
MOSFET N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥7.0173
2,500:¥4.9155
10,000:查看
参考库存:40728
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥112.5706
250:¥102.6605
500:¥95.9709
1,000:¥88.0609
参考库存:40731
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥1,146.5319
参考库存:40734
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