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晶体管
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BSZ0902NS

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库存:9,190(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.6105
6.6105
10
¥5.65
56.5
100
¥4.3392
433.92
500
¥3.8307
1915.35
5,000
¥2.6894
13447
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
2.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
26 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
48 W
配置
Single
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
3.6 nS
产品类型
MOSFET
上升时间
5.2 nS
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 nS
零件号别名
BSZ0902NSATMA1 BSZ92NSXT SP000854386
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格,BSZ0902NS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥17.5941
10:¥14.6787
100:¥11.3678
500:¥9.9101
1,000:¥8.2264
3,000:¥8.2264
参考库存:7374
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
1:¥12.9046
10:¥10.9836
100:¥8.7575
500:¥7.684
2,500:¥5.9438
5,000:查看
参考库存:6567
晶体管
MOSFET 8-64MHZ 3.3V GP EMI
1:¥14.5205
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
2,500:¥6.6444
5,000:查看
参考库存:5956
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-150MHz 150Watts 50Volt Gain 17dB
1:¥376.742
10:¥352.2323
参考库存:4430
晶体管
MOSFET N-Ch 800V 2050pF 32nC 17A 180W
1:¥32.2728
10:¥25.9674
100:¥23.6622
250:¥21.357
参考库存:4074
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