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晶体管
DMN2013UFX-7参考图片

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DMN2013UFX-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 10A 0.78W
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库存:7,394(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.9946
4.9946
10
¥4.1697
41.697
100
¥2.6894
268.94
1,000
¥2.147
2147
3,000
¥2.147
6441
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
W-DFN5020-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
9.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
57.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.14 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN2013
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
13.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20.3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
42.5 ns
典型接通延迟时间
8.6 ns
商品其它信息
优势价格,DMN2013UFX-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V PNP resistor-equipped
1:¥3.0736
10:¥2.0679
100:¥0.86784
1,000:¥0.59212
3,000:¥0.46104
参考库存:8228
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R 2.5K
1:¥3.6838
10:¥3.1075
100:¥1.8984
1,000:¥1.469
2,500:¥1.2543
参考库存:8144
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 55A
1:¥512.8279
5:¥503.3811
10:¥490.3183
25:¥480.7133
参考库存:5242
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
10,000:¥0.18419
20,000:查看
参考库存:24632
晶体管
MOSFET Pch Power MOS FET -
1:¥4.068
10:¥2.9832
100:¥1.8871
500:¥1.5255
10,000:¥1.1978
参考库存:25849
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