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晶体管
FS100R12KT4G参考图片

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FS100R12KT4G

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库存:4,452(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,160.3631
1160.3631
5
¥1,137.5371
5687.6855
10
¥1,084.5175
10845.175
25
¥1,061.7028
26542.57
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
515 W
封装 / 箱体
Econo 3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
FS100R12KT4GBOSA1 SP000379671
单位重量
300 g
商品其它信息
优势价格,FS100R12KT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V/6V N CH T1 890mA 0.3
1:¥3.842
10:¥2.4747
100:¥1.05994
1,000:¥0.81473
4,000:¥0.62263
参考库存:39154
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W 25V 5A
1:¥3.3787
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
2,500:¥1.11418
参考库存:5219
晶体管
MOSFET 20 V, P-channel Trench MOSFET
1:¥3.0736
10:¥2.1244
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
5,000:¥0.63732
参考库存:7296
晶体管
MOSFET MOSFET N-CH 30V 40A
1:¥9.831
10:¥8.4524
100:¥6.441
500:¥5.6952
1,500:¥3.9889
9,000:查看
参考库存:4093
晶体管
MOSFET 20V 200mA 340mW 5.0ohm @ 4.5V
1:¥3.616
10:¥2.7798
100:¥2.0679
500:¥1.695
3,000:¥1.1865
6,000:查看
参考库存:11150
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