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晶体管
IPB029N06N3 G参考图片

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IPB029N06N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥13.5261
13.5261
10
¥11.526
115.26
100
¥9.2208
922.08
500
¥8.0682
4034.1
1,000
¥6.6896
6689.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
2.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
165 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
188 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
75 S
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
120 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
62 ns
典型接通延迟时间
35 ns
零件号别名
IPB029N06N3GATMA1 IPB29N6N3GXT SP000453052
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,IPB029N06N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 50V NPN
1:¥0.84524
10:¥0.7458
100:¥0.26103
1,000:¥0.17628
10,000:¥0.11526
20,000:查看
参考库存:197618
晶体管
MOSFET LOW VOLTAGE
1:¥15.368
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.1417
3,000:¥7.0286
6,000:查看
参考库存:7033
晶体管
MOSFET 4V Drive Nch MOSFET
1:¥44.7932
10:¥38.0358
100:¥33.0412
250:¥31.3462
1,000:¥23.6622
2,000:查看
参考库存:2390
晶体管
MOSFET NFET WDFN6 30V 1.4 Ohms
1:¥6.6896
10:¥5.5709
100:¥3.5934
1,000:¥2.8815
3,000:¥2.4295
参考库存:9806
晶体管
MOSFET 500V N-Channel QFET
1:¥55.1666
10:¥49.8669
25:¥47.5617
100:¥41.3354
参考库存:1896
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