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晶体管
IRFR5410TRPBF参考图片

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IRFR5410TRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 26mOhms 70nC
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库存:35,230(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.3734
10.3734
10
¥8.8366
88.366
100
¥6.8026
680.26
500
¥6.0116
3005.8
1,000
¥4.746
4746
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
205 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
38.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
66 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 P-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
3.2 S
下降时间
46 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
58 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
SP001557100
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IRFR5410TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥42.262
10:¥35.9566
100:¥31.1202
250:¥29.5043
500:¥26.5098
参考库存:2250
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥34.804
10:¥27.9675
100:¥25.5154
250:¥22.9729
参考库存:1804
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 10A HiSpd
1:¥14.3736
10:¥12.2153
100:¥9.7632
500:¥8.5315
1,000:¥7.0964
参考库存:2659
晶体管
MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥10.1474
10:¥8.3733
100:¥6.4523
500:¥5.5596
3,000:¥5.5596
参考库存:6546
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2
1:¥12.6786
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.571
1,000:¥6.2715
5,000:¥6.2715
参考库存:6653
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