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晶体管
IPB025N08N3 G参考图片

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IPB025N08N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
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库存:5,765(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥38.42
38.42
10
¥32.657
326.57
100
¥28.3517
2835.17
250
¥26.894
6723.5
1,000
¥20.2835
20283.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
2.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
33 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
73 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
86 ns
典型接通延迟时间
28 ns
零件号别名
IPB025N08N3GATMA1 IPB25N8N3GXT SP000311980
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB025N08N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
1:¥19.5151
10:¥16.5997
100:¥13.221
500:¥11.6051
参考库存:19215
晶体管
射频开发工具 MRF300A-40MHZ/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥4,610.40
参考库存:2519
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50 VCEO 0.1A SOT-323
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:11413
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥28.0466
10:¥23.2102
100:¥19.1309
250:¥18.5207
500:¥16.5997
参考库存:3378
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 2.9 mOhm typ., 55 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥11.9893
10:¥10.2152
100:¥8.1473
500:¥7.1303
3,000:¥5.5031
6,000:查看
参考库存:5082
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