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晶体管
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FF300R17KE3

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数量单价合计
1
¥1,325.0267
1325.0267
5
¥1,293.1381
6465.6905
10
¥1,261.0235
12610.235
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1700 V
集电极—射极饱和电压
2.45 V
在25 C的连续集电极电流
404 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1450 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.9 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF300R17KE3HOSA1 SP000100776
单位重量
340 g
商品其它信息
优势价格,FF300R17KE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
1:¥105.655
10:¥96.05
25:¥88.8293
50:¥83.9816
参考库存:43614
晶体管
MOSFET
1:¥3,207.2225
5:¥3,163.1186
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25:¥2,941.7403
参考库存:43617
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1:¥912.7801
5:¥895.9544
10:¥855.6925
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参考库存:43620
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1:¥352.3114
5:¥333.2596
10:¥329.4854
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参考库存:43623
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥1,157.5946
2:¥1,134.8477
5:¥1,097.0492
10:¥1,077.2968
参考库存:43626
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