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晶体管
IRFR120NTRPBF参考图片

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IRFR120NTRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 210mOhms 16.7nC
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库存：13,929(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.4579
5.4579
10
¥4.5652
45.652
100
¥2.938
293.8
1,000
¥2.3617
2361.7
2,000
¥2.3617
4723.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
9.1 A
Rds On-漏源导通电阻
210 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
16.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
39 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
23 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
23 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
4.5 ns
零件号别名
SP001566944
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IRFR120NTRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZXTN2010A
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V NPN Low Sat
4,000:¥3.3222
参考库存:32738
NTMFS5H610NLT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T8 60V LOW COSS
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
1,000:¥4.7234
1,500:¥4.7234
参考库存:6388
DDTB114GC-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 10K
3,000:¥0.27685
9,000:¥0.23843
24,000:¥0.22261
45,000:¥0.20792
参考库存:32743
FCB20N60-F085
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 600V, 20A, SUPERFET
800:¥28.8941
2,400:¥27.8206
参考库存:32746
BUK7Y59-60EX
Nexperia
晶体管
MOSFET N-channel 60 V 59 mo FET
1:¥4.1471
10:¥3.4465
100:¥2.1018
1,000:¥1.6159
1,500:¥1.3786
参考库存:6396
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