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晶体管
IPW60R070P6XKSA1参考图片

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IPW60R070P6XKSA1

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数量单价合计
1
¥50.4884
50.4884
10
¥45.6407
456.407
25
¥43.4937
1087.3425
100
¥37.8098
3780.98
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
53.5 A
Rds On-漏源导通电阻
63 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
100 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
391 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS P6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
64 ns
典型接通延迟时间
23 ns
零件号别名
IPW60R070P6 SP001114660
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IPW60R070P6XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMBTA06LT3G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 80V NPN
1:¥1.5368
10:¥1.3673
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
10,000:¥0.2147
20,000:查看
参考库存:39493
STD1NK80Z-1
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch, 800V-13ohms 1A
1:¥8.5315
10:¥7.232
100:¥5.5596
500:¥4.9155
参考库存:4132
DZT953-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W -100V -5A
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
2,500:¥1.9662
参考库存:2920
ULN2002D1013TR
STMicroelectronics
晶体管
达林顿晶体管 Seven NPN Array
1:¥4.3844
10:¥3.5821
100:¥2.1809
1,000:¥1.695
2,500:¥1.4464
参考库存:7990
2N2923
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
1:¥5.537
10:¥4.7686
100:¥3.3109
1,000:¥2.4634
参考库存:5340
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