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晶体管
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IPP023N10N5

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数量单价合计
1
¥45.7198
45.7198
10
¥38.8833
388.833
100
¥33.6514
3365.14
250
¥31.9677
7991.925
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
210 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 5
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
124 S
下降时间
29 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
77 ns
典型接通延迟时间
33 ns
零件号别名
IPP023N10N5AKSA1 SP001120504
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP023N10N5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APTGT50TL601G
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1:¥453.5142
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10:¥426.8462
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GA20JT12-263
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1:¥303.5971
5:¥288.5342
10:¥280.8502
25:¥273.008
50:¥258.0242
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JANTX2N2907A
Microsemi
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1:¥47.6408
10:¥42.488
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BCR 191 E6327
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10:¥1.356
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
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SI7463DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
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1:¥22.6678
10:¥18.8258
100:¥14.5996
500:¥12.7577
1,000:¥10.5316
3,000:¥10.5316
参考库存:9168
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