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晶体管
DXT2012P5-13参考图片

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DXT2012P5-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR TRANS,PNP 60V,-5.5A
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数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.8081
38.081
100
¥2.4634
246.34
1,000
¥1.9662
1966.2
5,000
¥1.9662
9831
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI-5
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 60 V
集电极—基极电压 VCBO
- 100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 7 V
集电极—射极饱和电压
- 250 mV
最大直流电集电极电流
- 15 A
增益带宽产品fT
120 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DXT201
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 5.5 A
Pd-功率耗散
740 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
5000
子类别
Transistors
单位重量
96 mg
商品其它信息
优势价格,DXT2012P5-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.5369
10:¥2.938
100:¥1.7967
1,000:¥1.3899
3,000:¥1.1865
参考库存:5000
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:21862
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT NPN 12V 2A
1:¥4.3053
10:¥3.5595
100:¥2.1696
1,000:¥1.6724
2,000:¥1.4238
参考库存:3492
晶体管
MOSFET NFET 30V 35A 15MOHM
1:¥5.3788
10:¥4.4748
100:¥2.8928
1,000:¥2.3052
参考库存:4372
晶体管
MOSFET 20V 4.1A P-channel Trench MOSFET
1:¥3.7629
10:¥2.6103
100:¥1.1978
1,000:¥0.92208
3,000:¥0.78422
参考库存:4776
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