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晶体管
BSL308PEH6327XTSA1参考图片

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BSL308PEH6327XTSA1

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库存:35,973(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.9155
4.9155
10
¥4.0906
40.906
100
¥2.4973
249.73
1,000
¥1.9323
1932.3
3,000
¥1.6498
4949.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
2 A
Rds On-漏源导通电阻
130 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
- 1.2 nC, - 1.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3 mm
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
4.6 S, 4.6 S
下降时间
2.8 ns, 2.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.7 ns, 7.7 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15.3 ns, 15.3 ns
典型接通延迟时间
5.6 ns, 5.6 ns
零件号别名
BSL308PE H6327 SP001101004
单位重量
15 mg
商品其它信息
优势价格,BSL308PEH6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
1:¥21.7412
10:¥18.4416
100:¥14.7578
500:¥12.9046
1,000:¥10.6785
参考库存:5897
晶体管
MOSFET -150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥16.0573
10:¥13.2888
100:¥10.2943
500:¥9.0626
1,000:¥7.4693
3,000:¥7.4693
参考库存:17438
晶体管
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
1:¥12.2944
10:¥10.5316
100:¥8.0682
500:¥7.119
2,500:¥4.9833
10,000:查看
参考库存:7046
晶体管
MOSFET NCH 60V 3.0Mohm
1:¥36.3408
10:¥30.8942
100:¥26.8149
250:¥25.4363
参考库存:5625
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 100mA 50V w/bias resistor
1:¥1.695
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:13716
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