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晶体管
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FCU850N80Z

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数量单价合计
1
¥11.4469
11.4469
10
¥9.7632
97.632
100
¥7.5484
754.84
500
¥6.667
3333.5
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
850 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
22 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
75 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperFET II
封装
Tube
高度
6.3 mm
长度
6.8 mm
系列
FCU850N80Z
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
4.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
1800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
343.080 mg
商品其它信息
优势价格，FCU850N80Z的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PUMD2,125
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 6-Pin
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:6293
NSVMUN5131T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SC70 BR XSTR PNP 50V
1:¥2.0792
10:¥1.4577
100:¥0.60681
1,000:¥0.41471
3,000:¥0.32318
参考库存:22247
FS600R07A2E3_B31
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 HYBRID PACK 2
1:¥5,082.6609
5:¥4,776.3744
参考库存:1640
TPC8092,LQ(S
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch 30V FET 15A 1.9W 1800pF
2,500:¥2.1244
10,000:¥2.0453
25,000:¥1.9549
参考库存:22252
IPP70N12S3L12AKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 100+
1:¥15.8313
10:¥13.447
100:¥10.7576
500:¥9.379
参考库存:2142
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