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晶体管
BSZ130N03LS G参考图片

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BSZ130N03LS G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 35A TSDSON-8 OptiMOS 3
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库存:4,604(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥4.0454
40.454
100
¥2.6103
261.03
1,000
¥2.0905
2090.5
5,000
¥1.7628
8814
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
13 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
2.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.6 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
2.9 ns
零件号别名
BSZ130N03LSGATMA1 BSZ13N3LSGXT SP000278810
商品其它信息
优势价格,BSZ130N03LS G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
1:¥31.1993
10:¥26.5098
100:¥22.9729
250:¥21.7412
500:¥19.5151
参考库存:1934
晶体管
MOSFET 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8
1:¥9.7632
10:¥8.2942
100:¥6.3619
500:¥5.6274
4,000:¥3.9437
8,000:查看
参考库存:3770
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 2A 50V
1:¥4.9155
10:¥4.0906
100:¥2.4973
1,000:¥1.9323
2,500:¥1.6498
参考库存:2835
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 0.5A 50V
1:¥3.616
10:¥2.373
100:¥1.01474
1,000:¥0.77631
3,000:¥0.59212
参考库存:13625
晶体管
MOSFET 150V N-Channel QFET
1:¥17.063
10:¥14.5205
100:¥11.6051
500:¥10.1474
1,000:¥8.3733
参考库存:2878
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