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晶体管
SIHP21N65EF-GE3参考图片

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SIHP21N65EF-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
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库存:31,546(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥35.9566
35.9566
10
¥29.8094
298.094
100
¥24.5097
2450.97
250
¥23.7413
5935.325
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
71 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
208 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.49 mm
长度
10.41 mm
系列
EF
宽度
4.7 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
42 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
34 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
68 ns
典型接通延迟时间
22 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,SIHP21N65EF-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-363
1:¥4.5313
10:¥3.6838
100:¥2.8024
500:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.6724
参考库存:17734
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-13
1:¥4.4522
10:¥3.7516
100:¥2.2939
1,000:¥1.7628
4,000:¥1.5029
参考库存:6908
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥5.2997
10:¥4.3053
100:¥3.2657
500:¥2.7007
1,000:¥2.1583
3,000:¥1.9549
参考库存:7856
晶体管
MOSFET Small-Signal MOSFET
1:¥3.5369
10:¥1.9436
100:¥0.83733
1,000:¥0.63732
3,000:¥0.48364
参考库存:23797
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥9.605
10:¥8.1473
100:¥6.3054
500:¥5.5596
1,000:¥4.3957
2,500:¥4.3957
参考库存:7916
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