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晶体管
IRFU5410PBF参考图片

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IRFU5410PBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT P-Ch -100V -13A 205mOhm 38.7nC
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54.24
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¥4.1697
416.97
500
¥3.6838
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
205 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
38.7 nC
Pd-功率耗散
66 W
配置
Single
封装
Tube
高度
6.22 mm
长度
6.73 mm
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
2.38 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001557796
单位重量
4 g
商品其它信息
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