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晶体管
IPP90R1K2C3参考图片

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IPP90R1K2C3

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 900V 5.1A TO220-3 CoolMOS C3
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库存：4,189(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.9893
11.9893
10
¥10.2152
102.152
100
¥8.1473
814.73
500
¥7.1642
3582.1
1,000
¥5.9325
5932.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
5.1 A
Rds On-漏源导通电阻
1.2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
830 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS C3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
400 ns
典型接通延迟时间
70 ns
零件号别名
IPP90R1K2C3XKSA1 IPP9R1K2C3XK SP000683096
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP90R1K2C3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PMZB200UNEYL
Nexperia
晶体管
MOSFET 30V N-Channel Trench MOSFET
1:¥3.616
10:¥2.2939
100:¥0.9831
1,000:¥0.76049
10,000:¥0.51528
20,000:查看
参考库存:21570
SIA485DJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -150V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥4.6104
10:¥3.4917
100:¥2.5877
500:¥2.1244
3,000:¥1.5029
6,000:查看
参考库存:38369
SQR40N10-25_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 100V 40A 136W AEC-Q101 Qualified
1:¥18.5998
10:¥15.4471
100:¥11.9893
500:¥10.5316
2,000:¥8.1473
4,000:查看
参考库存:4041
IPU95R2K0P7AKMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 950 V CoolMOS P7
1:¥8.6106
10:¥7.3789
100:¥5.6613
500:¥5.0059
参考库存:2820
FF900R12IP4DV
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥4,760.464
参考库存:2345
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