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晶体管
ZTX696B参考图片

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ZTX696B

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Super E-Line
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库存:8,506(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.7574
6.7574
10
¥5.8082
58.082
100
¥4.4635
446.35
500
¥3.955
1977.5
1,000
¥3.1075
3107.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
180 V
集电极—基极电压 VCBO
180 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.25 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
增益带宽产品fT
70 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZTX696
直流电流增益 hFE 最大值
500 at 100 mA, 5 V
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
封装
Bulk
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
0.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
500 at 100 mA, 5 V, 150 at 200 mA, 5 V
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,ZTX696B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET DUAL N-CH. ER TRENCH MO
1:¥5.6048
10:¥4.6669
100:¥3.0058
1,000:¥2.4069
3,000:¥2.034
参考库存:8054
晶体管
IGBT 晶体管 600V/60A Field Stop IGBT Gen 2
1:¥49.4036
10:¥44.6463
25:¥42.5671
100:¥36.9623
参考库存:3974
晶体管
达林顿晶体管 Seven NPN Array
1:¥4.3844
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
参考库存:26757
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 59A 25mOhm 76nC
1:¥20.2835
10:¥17.289
100:¥14.9838
250:¥14.2154
500:¥12.7577
800:¥12.7577
参考库存:5756
晶体管
MOSFET MOSFT 60V 300A 1.9mOhm 110nC LogLv7
1:¥26.2047
10:¥22.2836
100:¥19.2891
250:¥18.3625
800:¥13.8312
2,400:查看
参考库存:7007
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