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晶体管
SIHG47N60E-E3参考图片

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SIHG47N60E-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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库存：4,422(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥82.4448
82.4448
10
¥74.1506
741.506
25
¥63.3139
1582.8475
100
¥60.9296
6092.96
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
47 A
Rds On-漏源导通电阻
64 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
148 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
357 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
系列
E
宽度
5.31 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
82 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
72 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
93 ns
典型接通延迟时间
28 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，SIHG47N60E-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZTX415
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Avalanche
1:¥88.6711
10:¥81.5295
25:¥78.1508
100:¥68.8509
参考库存:5362
FDMC86184
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 100V/20V N-Channel PTNG MOSFET
1:¥13.447
10:¥11.3678
100:¥9.1417
500:¥7.9891
3,000:¥6.1811
6,000:查看
参考库存:3433
2N6315
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥388.042
5:¥366.9901
10:¥362.843
25:¥335.5648
参考库存:1623
2N5151
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥238.8142
5:¥228.0566
10:¥220.9941
25:¥203.0158
参考库存:1647
STB6N65M2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
1:¥14.0572
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.3733
1,000:¥6.9721
参考库存:1562
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