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晶体管
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BSS205NH6327XT

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库存：10,219(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥2.0792
20.792
100
¥0.95259
95.259
1,000
¥0.72998
729.98
3,000
¥0.62263
1867.89
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
40 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
700 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
3.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
系列
BSS205
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
8.5 S
下降时间
2.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
5.8 ns
零件号别名
BSS205NH6327XTSA1 SP000929180
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BSS205NH6327XT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDMS86580-F085
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 60V NChnl Power Trench MOSFET
1:¥7.8422
10:¥6.6444
100:¥5.0963
500:¥4.4974
3,000:¥3.1527
9,000:查看
参考库存:6741
IFCM20T65GDXKMA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IFPS MODULES
1:¥106.8867
10:¥98.2761
25:¥94.2081
100:¥82.9872
参考库存:4023
AIKW50N60CTXKSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 DISCRETES
1:¥60.3985
10:¥54.5564
25:¥52.0252
100:¥45.1774
参考库存:4235
FS50R07W1E3B11ABOMA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥336.7852
5:¥329.3385
10:¥314.2756
25:¥301.0546
参考库存:3776
DTA143ZEFRATL
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-416 -50V VCC -0.1A IC
1:¥1.5368
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:12759
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