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晶体管
IPD050N03LGATMA1参考图片

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IPD050N03LGATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
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库存:14,860(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.0738
7.0738
10
¥6.0907
60.907
100
¥4.6782
467.82
500
¥4.1358
2067.9
2,500
¥2.8928
7232
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
4.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
31 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
68 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
38 S
下降时间
3.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
6.7 ns
零件号别名
G IPD050N03L IPD5N3LGXT SP000680630
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD050N03LGATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL PNP 50V 100MA
1:¥3.616
10:¥2.4973
100:¥1.1413
1,000:¥0.88366
3,000:¥0.75258
参考库存:6813
晶体管
MOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 12A
1:¥34.578
10:¥29.4252
100:¥25.5154
250:¥24.2046
参考库存:42268
晶体管
射频(RF)双极晶体管 VCEO=160V IC=600mA
1:¥3.2318
10:¥2.0905
100:¥0.94468
1,000:¥0.5989
3,000:¥0.45313
参考库存:8994
晶体管
MOSFET -20V -4.2A P-Channel
1:¥2.6894
10:¥2.0905
100:¥1.1413
1,000:¥0.85315
3,000:¥0.73789
9,000:¥0.69156
参考库存:17994
晶体管
MOSFET Dual 30V N Channel Mosfet
1:¥8.0682
10:¥7.0738
100:¥5.4579
500:¥4.0454
2,500:¥2.8476
5,000:查看
参考库存:8812
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