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晶体管
SIR836DP-T1-GE3参考图片

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SIR836DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存:43,811(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.1528
51.528
100
¥3.9098
390.98
500
¥3.2318
1615.9
3,000
¥3.2318
9695.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
19 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
11.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
15.6 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
35 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
SIR836DP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SIR836DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 600V Low VCEon Trench IGBT
1:¥63.5512
10:¥57.404
25:¥54.7824
100:¥47.5617
参考库存:5239
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥12.9046
10:¥10.6785
100:¥8.2264
500:¥7.0173
1,000:¥5.537
3,000:¥5.537
参考库存:6684
晶体管
MOSFET 100/20V PT5 N-Chan PowerTrench MOSFET
1:¥9.2999
10:¥7.91
100:¥6.1133
500:¥5.4127
2,500:¥3.7855
10,000:查看
参考库存:8814
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 15A 105mOhm 22.7nC LogLv
1:¥7.2207
10:¥6.1811
100:¥4.7573
500:¥4.2036
1,000:¥3.3222
参考库存:9813
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 12V 4A
1:¥5.2997
10:¥4.3844
100:¥2.825
1,000:¥2.2713
3,000:¥1.9097
参考库存:7361
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