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晶体管
IPD350N06L G参考图片

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IPD350N06L G

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数量单价合计
1
¥6.2263
6.2263
10
¥5.1867
51.867
100
¥3.3448
334.48
1,000
¥2.6781
2678.1
2,500
¥2.26
5650
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
29 A
Rds On-漏源导通电阻
35 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
10 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
68 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS 2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
29 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
IPD350N06LGBTMA1 IPD35N6LGXT SP000443746
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD350N06L G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10:¥20.3626
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250:¥16.7466
参考库存:2121
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