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晶体管
ZXMP10A18GTA参考图片

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ZXMP10A18GTA

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库存:8,205(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.9893
11.9893
10
¥10.1474
101.474
100
¥8.1473
814.73
500
¥7.1303
3565.15
1,000
¥5.9099
5909.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
3.7 A
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
26.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.9 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.65 mm
长度
6.7 mm
系列
ZXMP10A
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
6 S
下降时间
17.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.8 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33.9 ns
典型接通延迟时间
4.6 ns
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格,ZXMP10A18GTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package
1:¥269.9344
5:¥267.0981
10:¥248.9616
25:¥237.8198
参考库存:2059
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM nano 2nd series IPM, 3 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridge
1:¥62.0822
10:¥56.0932
25:¥53.4829
100:¥46.4091
参考库存:1068
晶体管
MOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
1:¥8.5315
10:¥6.8252
100:¥5.2432
500:¥4.633
5,000:¥3.2431
10,000:查看
参考库存:2222
晶体管
射频(RF)双极晶体管
10:¥2,009.592
30:¥1,937.1364
参考库存:31681
晶体管
IGBT 模块 1200V 75A 3-PHASE
1:¥921.0856
5:¥902.9491
10:¥860.834
25:¥842.7766
参考库存:1043
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