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晶体管
ZXMHC3A01N8TC参考图片

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ZXMHC3A01N8TC

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET Mosfet H-Bridge 30/-30V 2.7/-2.1A
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数量单价合计
1
¥7.5258
7.5258
10
¥6.4523
64.523
100
¥4.9607
496.07
500
¥4.3844
2192.2
1,000
¥3.4578
3457.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
4 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
2.72 A, 2.06 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms, 330 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
10.9 mW
配置
Quad
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
ZXMHC3
晶体管类型
2 N-Channel, 2 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
2.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.3 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
单位重量
74 mg
商品其它信息
优势价格,ZXMHC3A01N8TC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
1,500:¥3.9211
2,000:¥3.4804
10,000:¥3.3448
25,000:¥3.2431
参考库存:32244
晶体管
达林顿晶体管 Hi V & A Darlington
1,280:¥2.4747
2,000:¥2.2487
5,000:¥2.0905
10,000:¥2.0114
参考库存:32247
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.71416
9,000:¥0.65314
24,000:¥0.60681
45,000:¥0.53788
参考库存:32250
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
240:¥55.0197
480:¥52.5563
720:¥47.8668
1,200:¥41.7196
参考库存:32253
晶体管
MOSFET
1:¥8.5315
10:¥7.3111
100:¥5.6274
500:¥4.972
参考库存:4503
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