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晶体管
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IPA028N08N3 G

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数量单价合计
1
¥45.4938
45.4938
10
¥38.7251
387.251
100
¥33.5045
3350.45
250
¥31.8095
7952.375
500
¥28.5099
14254.95
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
89 A
Rds On-漏源导通电阻
2.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
206 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
42 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
16.15 mm
长度
10.65 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.85 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
89 S
下降时间
26 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
59 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
77 ns
典型接通延迟时间
30 ns
零件号别名
IPA028N08N3GXKSA1 IPA28N8N3GXK SP000446770
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPA028N08N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STH110N8F7-2
STMicroelectronics
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2,000:¥5.5257
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24,000:¥0.67574
45,000:¥0.63732
参考库存:30800
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