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晶体管
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FDFMA3N109

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库存:8,037(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.6839
5.6839
10
¥4.7234
47.234
100
¥3.0397
303.97
1,000
¥2.4408
2440.8
3,000
¥2.0566
6169.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
MicroFET-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
2.9 A
Rds On-漏源导通电阻
123 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
FDFMA3N109
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
6 ns
单位重量
60 mg
商品其它信息
优势价格,FDFMA3N109的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 25V Asymmetric 2xNCh MOSFET PowerTrench
1:¥23.4362
10:¥19.8993
100:¥17.289
250:¥16.3624
3,000:¥11.752
6,000:查看
参考库存:6926
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥27.5833
10:¥23.4362
100:¥20.2835
250:¥19.2891
参考库存:31245
晶体管
MOSFET N-Ch 800V 190mA SOT-223-3
1:¥8.7575
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
1,000:¥4.0341
参考库存:3683
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥12.8368
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.0173
3,000:¥7.0173
参考库存:7326
晶体管
MOSFET Dual N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET
1:¥9.0626
10:¥7.7631
100:¥5.989
500:¥5.2997
1,000:¥4.181
2,500:¥4.181
参考库存:19438
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