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晶体管
BSC042NE7NS3GATMA1参考图片

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BSC042NE7NS3GATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥18.4416
18.4416
10
¥15.6731
156.731
100
¥12.5204
1252.04
500
¥10.9836
5491.8
1,000
¥9.0626
9062.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
3.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
69 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
44 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
34 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
BSC042NE7NS3 BSC42NE7NS3GXT G SP000657440
单位重量
121.700 mg
商品其它信息
优势价格,BSC042NE7NS3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Digital Transtr w/built in resistors
1:¥1.2317
10:¥1.09158
100:¥0.3842
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:25378
晶体管
达林顿晶体管 15A 150V Bipolar Power PNP
1:¥26.1256
10:¥22.2045
100:¥19.2891
250:¥18.2834
500:¥16.4415
参考库存:4493
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥34.578
10:¥28.815
25:¥25.8996
50:¥23.052
参考库存:4438
晶体管
达林顿晶体管 NPN Transistor Darlington
1:¥2.8476
10:¥2.0114
100:¥0.92208
1,000:¥0.71416
3,000:¥0.60681
参考库存:13021
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Digital Transtr w/built in resistors
1:¥1.5368
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:20206
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