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晶体管
IPB011N04LGATMA1参考图片

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IPB011N04LGATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
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库存:2,612(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥32.883
32.883
10
¥27.9675
279.675
100
¥24.2046
2420.46
250
¥22.9729
5743.225
1,000
¥17.3681
17368.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
800 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
346 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
180 S
下降时间
21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
106 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
G IPB011N04L IPB11N4LGXT SP000391498
商品其它信息
优势价格,IPB011N04LGATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
1:¥4.3844
10:¥3.5821
100:¥2.3165
1,000:¥1.8532
3,000:¥1.5594
参考库存:7345
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT 20A 350V N-CHANNEL
1:¥12.9046
10:¥10.4525
参考库存:5183
晶体管
IGBT 模块 IGBT-MODULE
1:¥295.7549
5:¥292.7604
10:¥272.8611
25:¥260.5667
参考库存:4892
晶体管
IGBT 模块 IGBT IPM 10A 600 V SDIP25L molded
1:¥83.2132
10:¥76.5349
25:¥73.3031
100:¥64.6247
参考库存:4979
晶体管
MOSFET
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
4,000:¥0.66105
参考库存:12807
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