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晶体管
ZTX653参考图片

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ZTX653

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Super E-Line
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数量单价合计
1
¥6.5314
6.5314
10
¥5.4805
54.805
100
¥3.5369
353.69
1,000
¥2.825
2825
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
120 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
230 mV
最大直流电集电极电流
2 A
增益带宽产品fT
175 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 200 C
系列
ZTX653
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
封装
Bulk
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
2 A
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,ZTX653的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt
1:¥429.3774
参考库存:2999
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Complex Digital Transistor
1:¥3.0736
10:¥1.9775
100:¥0.85315
1,000:¥0.65314
8,000:¥0.43844
24,000:查看
参考库存:10462
晶体管
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1:¥32.657
10:¥27.7415
100:¥24.0464
250:¥22.826
1,000:¥17.289
2,000:查看
参考库存:5936
晶体管
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1:¥3.2996
10:¥2.5086
100:¥1.8645
500:¥1.5368
3,000:¥1.08367
6,000:查看
参考库存:68302
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
1:¥3.3787
10:¥2.8024
100:¥1.7063
1,000:¥1.3221
3,000:¥1.12209
参考库存:56398
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