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晶体管
SQJQ900E-T1_GE3参考图片

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SQJQ900E-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥17.063
17.063
10
¥14.2154
142.154
100
¥10.9836
1098.36
500
¥9.605
4802.5
2,000
¥9.605
19210
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-8x8L-4
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
3.4 mOhms, 3.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
120 nC, 120 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
135 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
105 S, 105 S
下降时间
14 ns, 14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.5 ns, 7.5 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns, 30 ns
典型接通延迟时间
14 ns, 14 ns
商品其它信息
优势价格,SQJQ900E-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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暂无价格
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暂无价格
参考库存:31765
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