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晶体管
TPH11003NL,LQ参考图片

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TPH11003NL,LQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 21W 510pF 32A 30V
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库存:4,899(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.6048
5.6048
10
¥4.3392
43.392
100
¥2.8024
280.24
1,000
¥2.2487
2248.7
3,000
¥1.8871
5661.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
32 A
Rds On-漏源导通电阻
12.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
7.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
21 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.95 mm
长度
5 mm
系列
TPH11003NL
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Toshiba
下降时间
1.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.1 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13.5 ns
典型接通延迟时间
7.5 ns
单位重量
851 mg
商品其它信息
优势价格,TPH11003NL,LQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh V
1:¥35.5724
10:¥30.1936
100:¥26.2047
250:¥24.8148
参考库存:3399
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MOSFET 30V 8.0A 2.98W 28mohm @ 10V
1:¥4.8364
10:¥3.7516
100:¥2.7798
500:¥2.2939
3,000:¥1.6159
6,000:查看
参考库存:4770
晶体管
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1:¥20.9728
10:¥17.8314
100:¥15.4471
250:¥14.6787
500:¥13.1419
参考库存:1881
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT DISCRETES
1:¥58.5566
10:¥52.9405
25:¥50.4884
100:¥43.7988
参考库存:2209
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IGBT 晶体管 FS2 TIGBT excellent swtching performance
1:¥82.2188
10:¥74.3088
25:¥70.851
100:¥61.5511
参考库存:2256
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