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晶体管
IPG20N04S4L11AATMA1参考图片

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IPG20N04S4L11AATMA1

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库存:6,190(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.2264
8.2264
10
¥7.0738
70.738
100
¥5.4353
543.53
500
¥4.8025
2401.25
5,000
¥3.3674
16837
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
10.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
26 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
41 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
5 ns
零件号别名
IPG20N04S4L-11A SP001023836
商品其它信息
优势价格,IPG20N04S4L11AATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 12V Vds -/+12V Vgs PowerPAK SO-8L
1:¥10.5994
10:¥8.7575
100:¥6.6896
500:¥5.7517
1,000:¥4.5313
3,000:¥4.5313
参考库存:4193
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥43.0304
10:¥36.5781
100:¥31.6626
250:¥30.0467
500:¥26.9731
参考库存:1426
晶体管
MOSFET N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
1:¥7.684
10:¥6.3732
100:¥4.8816
500:¥4.2036
1,000:¥3.3109
3,000:¥3.1527
参考库存:33121
晶体管
MOSFET
1:¥5.3788
10:¥4.4974
100:¥2.9041
1,000:¥2.3165
2,500:¥2.3165
参考库存:7895
晶体管
MOSFET 60V 65A N-Channel Power Trench MOSFET
1:¥9.7632
10:¥8.3733
100:¥6.3958
500:¥5.65
3,000:¥3.955
9,000:查看
参考库存:5592
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