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晶体管
SI7738DP-T1-GE3参考图片

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SI7738DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存:4,050(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.5887
22.5887
10
¥18.6676
186.676
100
¥15.368
1536.8
250
¥14.9047
3726.175
3,000
¥14.9047
44714.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
38 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
35 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
96 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SI7
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
22 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
SI7738DP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SI7738DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
5,000:¥4.0341
10,000:¥3.8872
参考库存:42533
晶体管
MOSFET P-Channel,MOSFETS,SOT-23 Package
1:¥5.0737
10:¥3.9437
100:¥2.712
1,000:¥1.4012
30,000:¥1.09836
48,000:查看
参考库存:42536
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥337.7909
5:¥319.4962
10:¥315.8915
25:¥292.1502
参考库存:42539
晶体管
JFET JFET N-Channel -40V 50mA 360mW 3.27mW
391:¥18.1365
500:¥16.2946
1,000:¥13.7521
2,500:¥13.0628
参考库存:42542
晶体管
MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp
1:¥21.9785
10:¥18.2156
100:¥14.9838
250:¥14.5205
3,000:¥10.4525
6,000:查看
参考库存:42545
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