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SGP23N60UFTU

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数量单价合计
1
¥19.5151
19.5151
10
¥16.5997
165.997
100
¥13.2888
1328.88
500
¥11.6051
5802.55
1,000
¥9.605
9605
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
23 A
Pd-功率耗散
100 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
SGP23N60UF
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
23 A
高度
9.4 mm
长度
10.1 mm
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
23 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SGP23N60UFTU_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，SGP23N60UFTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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