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晶体管
MJ21193G参考图片

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MJ21193G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 16A 250V 250W PNP
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库存:4,998(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥51.4828
51.4828
10
¥46.5673
465.673
50
¥44.3412
2217.06
100
¥38.4991
3849.91
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-204-2
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
250 V
集电极—基极电压 VCBO
400 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
1.4 V
最大直流电集电极电流
16 A
增益带宽产品fT
4 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJ21193
高度
8.51 mm (Max)
长度
39.37 mm
封装
Tray
宽度
26.67 mm (Max)
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
16 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
25
Pd-功率耗散
250 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
单位重量
12 g
商品其它信息
优势价格,MJ21193G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥5.3788
10:¥4.4748
100:¥2.8815
1,000:¥2.3052
2,000:¥2.3052
参考库存:4475
晶体管
MOSFET SUPERFET3 650V 12A 250 mOhm
1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥15.9104
250:¥15.0629
3,000:¥10.8367
6,000:查看
参考库存:6872
晶体管
MOSFET 100V 27.5A 35.7W
1:¥12.8368
10:¥10.6785
100:¥8.2942
500:¥7.2659
3,000:¥7.2659
参考库存:6809
晶体管
IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥471.6394
5:¥461.04
10:¥443.0617
25:¥428.7672
参考库存:3902
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SOT-223 PNP GP AMP
1:¥3.616
10:¥2.7685
100:¥1.5029
1,000:¥1.13
4,000:¥0.97632
参考库存:3968
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