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晶体管
HFA3101BZ参考图片

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HFA3101BZ

  • Renesas / Intersil
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 TXARRAY NPN GILBERT CELL 8W
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库存:4,412(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥61.7771
61.7771
10
¥55.8672
558.672
25
¥53.2456
1331.14
100
¥46.2622
4626.22
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Renesas Electronics
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
HFA3101
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
集电极—发射极最大电压 VCEO
8 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5.5 V
集电极连续电流
0.03 A
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
配置
Hex
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
封装
Tube
集电极—基极电压 VCBO
12 V
直流电流增益 hFE 最大值
40 at 10 mA at 3 V
高度
1.5 mm (Max)
长度
5 mm (Max)
工作频率
10000 MHz (Typ)
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
4 mm (Max)
商标
Renesas / Intersil
增益带宽产品fT
10000 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流
0.03 A
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
98
子类别
Transistors
单位重量
72 mg
商品其它信息
优势价格,HFA3101BZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Comp. 60V NP-Chnl
1:¥13.5261
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
1,000:¥6.6896
参考库存:1933
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥1.01474
9,000:¥0.95259
24,000:¥0.87575
45,000:¥0.82264
参考库存:35731
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3
1:¥18.9049
10:¥16.0573
100:¥12.8368
500:¥11.2209
参考库存:1555
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥7.2207
10:¥5.9777
100:¥4.5878
500:¥3.955
1,000:¥3.1075
2,500:¥3.1075
参考库存:3822
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 10A 50V
1:¥6.9947
10:¥5.7743
100:¥3.729
1,000:¥2.9832
参考库存:2185
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