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晶体管

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BFP 740F H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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库存：19,471(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥3.1075
31.075
100
¥1.8984
189.84
1,000
¥1.469
1469
3,000
¥1.2543
3762.9
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFP740
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
集电极—发射极最大电压 VCEO
4 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.2 V
集电极连续电流
30 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSFP-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
13 V
直流电流增益 hFE 最大值
400
高度
0.55 mm
长度
1.4 mm
工作频率
42 GHz
类型
RF Silicon Germanium
宽度
0.8 mm
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
160 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP740FH6327XTSA1 BFP74FH6327XT SP000750416
单位重量
1.870 mg
商品其它信息
优势价格，BFP 740F H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RF4E110BNTR
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
1:¥4.3844
10:¥3.5821
100:¥2.3165
1,000:¥1.8532
3,000:¥1.5594
参考库存:7345
NGB8206ANSL3G
Littelfuse
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT 20A 350V N-CHANNEL
1:¥12.9046
10:¥10.4525
参考库存:5183
FP15R12W1T4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT-MODULE
1:¥295.7549
5:¥292.7604
10:¥272.8611
25:¥260.5667
参考库存:4892
STGIPS10K60A
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 模块 IGBT IPM 10A 600 V SDIP25L molded
1:¥83.2132
10:¥76.5349
25:¥73.3031
100:¥64.6247
参考库存:4979
NTK3134NT1H
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
4,000:¥0.66105
参考库存:12807
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