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晶体管
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FDB44N25TM

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库存:4,530(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.6676
18.6676
10
¥15.9104
159.104
100
¥12.6786
1267.86
500
¥11.0627
5531.35
800
¥9.2208
7376.64
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
44 A
Rds On-漏源导通电阻
69 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
307 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
FDB44N25
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
32 S
下降时间
115 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
400 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
55 ns
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格,FDB44N25TM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 2-in-1 MOSFET ID=100mA VDSS=50V
1:¥4.9155
10:¥3.5143
100:¥1.1752
1,000:¥0.90626
3,000:¥0.76049
参考库存:23222
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥2.0001
10:¥1.356
100:¥0.56839
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.30736
参考库存:11612
晶体管
MOSFET N-Channel MOSFET
1:¥19.9784
10:¥16.9839
100:¥13.6052
500:¥11.9102
参考库存:7614
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥3,957.26
10:¥3,780.528
参考库存:23229
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4.0GHz 25W Gain 13.5dB GaN HEMT
1:¥1,323.2639
2:¥1,286.6067
5:¥1,257.1815
10:¥1,220.4452
参考库存:23232
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