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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	1 kOhms
典型电阻器比率	0.1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-363-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	56
集电极—发射极最大电压 VCEO	18 V
集电极连续电流	600 mA
峰值直流集电极电流	600 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	DRDNB16
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	5 V
高度	1 mm
长度	2.2 mm
宽度	1.35 mm
商标	Diodes Incorporated
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	6 mg

商品其它信息

优势价格，DRDNB16W-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DMN4060SVT-7	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V TSOT26 T&R 3K	1:¥3.1527 10:¥2.3504 100:¥1.2769 1,000:¥0.9605 3,000:¥0.82264 9,000:¥0.77631	参考库存:31828
NSBC114YPDP6T5G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 COMP NBRT/PBRT TR SOT-963	1:¥3.6838 10:¥2.5764 100:¥1.1865 1,000:¥0.91417 8,000:¥0.70738 24,000:查看	参考库存:10300
CSD18504Q5AT	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 40V,N-Ch NexFET Pwr MOSFET	1:¥7.8422 10:¥6.6896 100:¥5.1528 250:¥5.1528 500:¥4.5539	参考库存:3717
MUN5233DW1T1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT Dual NPN	1:¥1.921 10:¥1.3108 100:¥0.5537 1,000:¥0.37629 3,000:¥0.29154	参考库存:29289
TSM3N80CZ C0G	Taiwan Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET, Single, N-Ch Planar, 800V, 3A	1:¥10.3734 10:¥9.2208 100:¥7.2659 500:¥5.6387	参考库存:4213